斯达半导：自主车规级SiC MOSFET芯片预计今年在主驱市场批量供货
4月17日，斯达半导举行了2022年度业绩说明会。会上，公司董秘张哲提到：“公司使用非自主芯片的车规级SiC MOSFET 2022年开始在高端新能源乘用汽车客户大批量装车应用。此外，公司的SiC芯片研发及产业化项目正在有序推进，公司自主的车规级SiC MOSFET芯片顺利开展，预计今年可以在主电机***客户批量供货。”
硅基IGBT车用主驱市场“一骑绝尘”
2022年我国IGBT产业进入爆发期。
根据我国汽车工业协会最新统计显示，2022年我国新能源汽车持续爆发式增长，产销分别完成705.8万辆和688.7万辆，同比分别增长96.9%和93.4%，连续8年保持全球第一。
IGBT作为新能源汽车核心零部件，需求量持续高涨。IGBT芯片厂商包括英飞凌和安森美等，这些大厂的交期平均都在一年以上，同时海外如欧洲和美国的电动车市场也开始进入高速增长期，大厂优先保障本土供应。因此，在供需偏紧的情况下，国产IGBT厂商在车载IGBT领域的替代进程加速。
2022年斯达用于主电机***的车规IGBT模块持续放量，配套超120万辆新能源车，**及以上车型超60万辆。
同时受益于800V上车趋势，斯达第六代IGBT模块新增多个车型的定点，1200V IGBT模块新增多个800V平台定点，23年IGBT模块将持续放量。芯片端，斯达第七代微沟槽IGBT的650V/750V芯片开始批量供货，同时车规级1200V IGBT芯片产品已通过客户验证，预计23年开始批量供货。
△ ***部分结构图 图源：斯达半导
SiC市场“蓄势待发”
业内普遍认为，碳化硅功率器件在新能源汽车领域具有显著的性能等优势，在主逆变器里，采用碳化硅MOSFET可提高约5%的**效率。
斯达半导董事长沈华接受采访也曾表示，主逆变器采用碳化硅让整车厂有了两个选择：一是采用相同电池容量，续航里程可提升5%；二是设计相同的续航里程，但电池容量可减少5%。
目前，各大供应商以及整车厂正围绕800V架构对电驱**中的零部件进行迭代更新。而碳化硅的崛起，与电动汽车的800V高压平台**算是「绝配」。在800V高压平台火热的趋势下，据行业预测，未来几年SiC功率元器件将随着800V平台的大规模上车进入快速爆发阶段。
2022年，斯达半导体的SiC MOS模块开始在新能源车主驱上大批量装车，随着小鹏G9逐步起量，SiC出货量将不断增长，公司新增多个800V的项目定点。斯达今日业绩说明会上表示：预计公司自主芯片的车规级SiC MOS模块将于23年向主电机***客户批量供货，为SiC MOS模块营收增长提供推动力。
综合来看，公司凭借在IGBT、SiC领域领先的产品竞争力，有望牢牢把握新能源车、光储的高需求景气。
国产SiC芯片主驱批量应用已“箭在弦上”
2022年国产SiC MOSFET 推出迅速。据CASA数据，国内至少有14家企业推出多款 SiC MOSFET产品，虽用于主驱应用的mos产品仍屈指可数。五十五所、清纯半导体、士兰微、瞻芯、爱仕特等公司也已经开始给主驱送样测试。
日前，一汽对外发文称，公司首款电驱用750V碳化硅功率芯片已于4月10日完成样品流片，正式进入产品级测试阶段。
根据报道，红旗功率电子开发部联合中电科55所，从结构设计、工艺技术、材料应用维度开展技术攻关，使得该芯片比导通电阻达到2.15mΩ·cm²，最高工作结温175℃，达到国际先进水平。
我们也期待斯达自研SiC芯片的进一步详细进展公布。
来源：碳化硅芯观察
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