碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理**，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。本期的智能内参，我们推荐安信证券的报告《市场...

碳化硅（Sic）作为一种宽禁带半导体，比硅(Si)具有更多的优势，但由于是种新技术，对其的了解不全面导致有关它的误解仍有很多。有人认为：明明碳化硅的优势很多，但一直推广不利，而造成其的原因之一就是解决方案成本太高。碳化硅晶圆是晶体通过切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和...

碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是...

绝缘栅双极型晶体管又叫IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)IGBT一般用通常用“Q，VT”表示原理图常用符号IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件IGBT优点：GTR饱和压降低，载流密度大，但驱...

数据是个宝数据宝炒股少烦恼IGBT被曝缺货，头部厂商上调**！下游两大行业大爆发，券商上调景气值。功率半导体又爆出大缺货。据科技媒体报道，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在电动车与太阳能光伏两大主流应用需求大增助推下，近期出现大缺货，不仅**涨翻天，业界更以“不是**多高的问题，而是根本买不到”来形容...

IGBT器件是能源转换和传输核心，自20 世纪80 年代末开始工业化使用后，广泛应用于高压、大电流、高速等大功率使用场景，并且在消费类电子应用中渐渐兼并BJT、MOSFET使用场景，成为电力电子领域开关器件的主流发展方向。但是关于IGBT是个啥？很多人还不清楚，尤其是再看到SiC IGBT，SiIG...

近年来，以SiC（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。SiC和Si来竞争制造功率半导体无论是在科学和实践上都得到了实力上的体现，尤其是随着新能源电动车的普及和发展，主机厂开始转向800V高压平台，对SiC的需求量越来越...

IGBT，电力电子的CPU！小小功率半导体器件，却在很多电力电子相关的领域发挥着巨大的作用。近年来，IGBT发展迅猛，英飞凌以及日本厂商不断针对各类应用推出IGBT新品，国内厂商也不甘落后，比如比亚迪，华为等也都加入了IGBT的战场，竞争越来越激烈。IGBT如何使用，难倒不少工程师。本文就从0开始，...

在介绍IGBT之前，总有几个参数需要了解一下。第一个是击穿电压，就是管子在截止状态下集电极与发射极之间的最大电压UCEX。再一个是饱和电压UCES，就是导通状态下集电极与发射极之间的电压。还有一个比较重要，是栅极电压UGE，是栅极与发射极之间施加的电压。当IGBT饱和导通时，UGE为12～20V，一...