小米快充，激活的是第三代半导体材料氮化镓（GaN），除了氮化镓，第三代半导体产业化成熟的还有碳化硅（SiC）。“得碳化硅者，得天下”，恰逢国内上市公司露笑科技（002617）正在筹划非公开发行股票，募投方向正是碳化硅（SiC）晶体材料的产业化，本文结合露笑科技电话会议的内容，对第三代半导体材料碳化硅...

SiC作为半导体材料具有优异的性能，尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。与传统硅器件相比可以实现低导通电阻、高速开关和耐高温高压工作，因此在电源、汽车、铁路、工业设备和家用消费电子设备中倍受欢迎。虽然SiC最后通过人工合成可以制造，但因加工极其困难，所以SiC功率元器件量产化曾一度令研究者们头疼。...

碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理**，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。本期的智能内参，我们推荐安信证券的报告《市场...

数据是个宝数据宝炒股少烦恼IGBT被曝缺货，头部厂商上调**！下游两大行业大爆发，券商上调景气值。功率半导体又爆出大缺货。据科技媒体报道，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在电动车与太阳能光伏两大主流应用需求大增助推下，近期出现大缺货，不仅**涨翻天，业界更以“不是**多高的问题，而是根本买不到”来形容...

近年来，以SiC（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。SiC和Si来竞争制造功率半导体无论是在科学和实践上都得到了实力上的体现，尤其是随着新能源电动车的普及和发展，主机厂开始转向800V高压平台，对SiC的需求量越来越...

目录：1.IGBT是什么？2.IGBT的工作原理3.IGBT的优缺点4.IGBT的主要参数5.IGBT的静态特性曲线6.IGBT的选型7.IGBT的应用1.IGBT是什么？IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, ...

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种...

核心要点：1.特斯拉Dojo超级计算平台7月即将量产，实力比肩英伟达，核心竞争力包括InFO_SOW，其中扇出型晶圆级封装(FOWLP)是最关键技术。2.国内上市公司通富微电、长电科技等有相关技术布局，文一科技（600520）已有FOWLP扇出型晶圆级封装设备交付客户使用。Dojo恐成为比肩英伟达的...

中巨芯上市大涨182%！获大基金持股、中芯国际参股，价值几何？ 今日（9月8日），中巨芯正式**科创板，公司本次共发行36931.9万A股，发行价为5.18元/股。IPO募资总额为19.13亿元，募资净额为18.07亿元，保荐机构为海通证券。上市首日涨182%中巨芯今日开盘价为15.12元/股，涨幅...