随着宽禁半导体材料的发展，砷化镓作为一种新型的半导体材料备受关注。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用，用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。砷化镓是直接能隙的材料，所以可以用来发光，而Si是间接能隙的材料，只能发射...