我国计划把大力支持发展，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业**自主。什么是第三代半导体？第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、...

作者/金亿财经课堂各位朋友大家好，感谢点击阅读本期文章，今天我们继续在芯片产业链中继续去寻找有内在价值的公司。今年9月上市的新秀，短短三个月斩获了1800%，牛不牛，为什么一个发行价只有4.92的新秀来到市场摇身一变成为了大家都去追捧的对象，三个月高达18倍，那么它到底有什么不同之处，价值是否高估，...

近期智能手机厂商频频在充电器领域亮剑，随机附带充电器功率没个大几十瓦都不好意思出门打招呼。充电器的发展思路是提升充电功率，减小充电器体积。如果要达成这样目标的话必须要用上“氮化镓（GaN）”材料。那么氮化镓作为一种新型材料是如何上位并改变我们生活的呢？今天我们不妨了解一下。01氮化镓登场前传：Typ...

作者：数据宝 梁谦刚高端半导体原材料高纯度砷打破国外垄断局面。据集微网消息，位于烟台恒邦化工产业园的恒邦高纯新材料项目即将进入带料试车阶段，年底，纯度达到7.5个9的高纯砷产品将问世，打破我国高端半导体原材料长期由发达国家垄断的市场格局。高纯砷项目建成后将打破国外垄断高纯砷是一种新型高端半导体材料，...

一、砷化镓行业概况砷化镓是一种重要的半导体材料。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。第三代半导体主要是以碳化硅（SiC）...

来源：钜亨网半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 (Si)、锗 (Ge) 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化锌 (ZnSe) 等宽带半导体原料为主。第三代半导体原料具有较大...

1988年，日本在全球芯片生产中的份额超过50%，但如今已降至10%左右。所以，日本一直在为振兴半导体产业而努力。随着全球芯片制造商将重点从硅片转移到SiC晶圆片上，日本各大功率半导体企业纷纷在SiC领域大幅扩产，日本的半导体行业正寄希望于SiC作为日本电子行业的救星的潜力。而另一大功率半导体氧化...

来源：内容由半导体行业观察近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“***半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要...

一、下游应用驱动，GaAs、GaN 和 SiC 各领** 1.化合物半导体具有物理特性优势化合物半导体物理特性具有独特优势。半导体材料领域共经历三个发展阶段：第一阶段是以硅、锗为代表的 IV 族半导体；第二阶段是以 GaAs 和 InP 为 代表的 III-V 族化合物半导体，其中 GaAs 技术发...

何为SiC？文/每日财报 刘雨辰我国将第三代半导体产业写入“十四五”规划之中，计划在2021到2025年的五年之内，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持，以期实现产业**自主，不再受制于人。第一代半导体主要有硅和锗，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功...