在之前的系列文章里，着重学习了光伏行业目前的几种新的技术趋势，包括了Topcon、HJT、IBC、钙钛矿。。。

作为电池片技术发展革新中的一个重要阶段，基于N型硅片的第三代电池片技术开始了产业化进程。

作为光伏行业学习笔记的系列文章，本文先做综述，概述和对比一下现有的光伏电池片设备技术路线。

后面的系列文章，采用一些不同的视角进行学习和记录。

即从光伏公司最新专利技术申请的角度，来分析各家公司在技术路线和设备选型上的异同。

第三代电池片

在讲电池片和电池片设备之前，有必要先来普及一下光伏电池片的工作原理。

光伏电池本质上是一个半导体的PN结（如果不知道什么是PN结的，还需要补一下半导体的基础知识）。

当光照在半导体PN结上，形成新的空穴电子对。在PN结电场作用下，空穴由N区流向P区，而电子则反向运动形成电流。

了解了工作原理，我们可以知道提高转化效率，主要有两个途径。

1. 让尽量多的光线摄入。
2. 增加空穴电子对，尽量延长少子寿命。

对于第一条，可以采用**角度调整的物理方法，也可以改变电池结构（IBC）增加光线的摄入。

而对于第二条，目前可行的方法就是N型电池片技术，同时要对电池片进行一定的处理尽量延长少子寿命。

工欲善其事，必先利其器

目前太阳能电池片，已经发展到了2.5-3.0代技术，最具有代表性的，就是大家常说的Topcon、HJT和IBC。

关于几种电池的比较，在之前的文章中都有提及，不再赘述。

为了便于理解，把几种N型电池片技术的特点，汇总成一个表格。

Topcon和HJT，属于在硅片层面做结构上的优化。

而IBC和钙钛矿，一个是在电池电极结构上的创新，另一个则是化学吸光材料的创新。

那么，核心设备的变更，主要存在于Topcon和HJT结构中。

他们涉及到的工艺路径，就是设备升级的方向，即沉积、掺杂、氧化层生长。

写在最后

关于电池的技术路线，以及对应设备的升级革新，是一个很庞大的**工程。

在每一个技术路线下面，又存在多个设备路线的分支。篇幅所限，将在后面专门写文章进行记录。

下期预告：LPCVD、PECVD和ALD谁主沉浮。

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