不要神化EUV光刻机，它本质上还是第三次工业**的产物
日前，美日荷结成一个所谓“三方芯片联盟”，联手向我国半导体设备发展进行**，不允许荷兰ASML和日本的尼康、佳能对我国供应DUV光刻机以及半导体芯片制造设备与材料。另外美国还要求所有美企都停止对华为供应大部分产品，其中包括高通4G芯片，以求全面“**”华为公司的“生路”。但是前不久，ASML董事长称，如果对我国实施**，也许不出三年他就会研发出新的EUV光刻机。其实相关的担忧微软的比尔盖茨也曾表达过。
芯片的产生分三个过程，一是设计，二是制造，三是封装。在芯片设计领域，华为海思一度进入前五，另外还有两家公司也进入过前十，但是由于美国**，先进制程芯片不给他们生产，自然，芯片的设计也就不显得那么重要。在封装领域，我们具有在这个领域最多的企业，最大的产能，相当高的技术水平，其中位居前十的有：**五家，**一家，新加坡一家，美国一家。所以，我们真正被卡脖子是在芯片制造。
芯片的原材料来自硅，通过与C反应、酸化、蒸馏、提纯至99.9999%纯硅锭；再通过直拉化、螺旋上升、**后生成单晶棒；然后切片、抛光成晶圆；再氧化、光刻、掩膜、刻蚀、外硅层注入离子、再热处理、沉淀镀金（铜）如此反复数十次。
在这以上的过程中，我们在硅锭的纯度、单晶棒的直径，晶圆的切片、抛光均已取得突破。而在再氧化、光刻、掩膜、刻蚀、外硅层注入离子、再热处理、沉淀镀金（铜）部分，我们真正落后的只有光刻部。像刻蚀部分，我们的有些工厂甚至在为海外做代工。
在落后的光刻部分中，光刻胶算一个，它是光刻机在生产芯片过程中最关键的材料，高端光刻胶被誉为“半导体材料皇冠上的明珠”，长期以来东京应化、JSR、信越化学、**胶片这四家日企控制着全球80%以上的高端光刻胶市场。日本也曾经此类产品将韩国打得毫无还手之力。日本光刻胶巨头JSR的CEO埃里克·约翰逊曾说：“即使我国拿到一份关于(光刻胶)化学成分细节的**，也难以实现量产。”在去年5月份，日本光刻胶四大巨头之一的信越化学宣布对我国实行“断供”。然而不久后，徐州博康将国产光刻胶的纯度提升10倍，实现KrF和ArF高端光刻胶的量产，目前我国在高端光刻胶领域已掌握了80%的技术，已基本能实现国产替代。但是余下的20%不解决，还是会被卡脖子。
ASML的EUV光刻机主要技术难点还是在对极紫外光的摆弄上，这方面属于美西的保密产品，鲜见有份量的报道。但是既然是对光的摆弄，无非是对光源的选择，光谱的选择，聚光材料的选择，使用环境等等的选择。两个现象，或说明我们在对光的摆弄方面已经走在西方前面：九章量子计算机采用的是高斯玻色取样原理。也就是在摆弄光，理论上这个要比光刻机那个极紫外光更难，需要精确到单光子。另外就是巡天空间望远镜，也是摆弄光的，就看得深、看得广、看得精上，在同等深度和精度基础上，它的广度是哈勃望远镜的300倍以上。
结语：
对于EUV光刻机，很多报道将其神化了，说什么1.6亿美元/台，两个货柜的大小，十几万个零件……。须不知的是EUV本质上是第三次工业**的产物，而整个这个工业**我们是全程参与的，也就是说，即便落后也不会太远。而之所以落后正是受到了“全球供应链”的影响。这个与涡扇发动机落后有本质上的区别。
据金灿荣教授称，在美国对中兴开始制裁的2017年，我国在芯片制造方面有30年的差距，至2019年对华为进行卡脖子时，我国与先进制程技术缩短到十年。也就是两年缩短了60%的差距。以此推算，如今又过去了三年，我们差距巳经缩短在10%以内应是正常的。现在剩下的就是几项重点项目攻关。因此ASML董事长说我国三年后搞出我国版EUV并非妄言。
目前国内光刻机产业链的企业之一，传芯半导体公开宣布已经20余项EUV光刻机技术专利，加上此前在激光光源、工作台、镜头等方面所取得的成果，我们又进一步接近DUV、EUV整机量产了！
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