国产光刻机的艰难往事：给全**纸，我国人也造不出光刻机？
如果大家关注光刻机，一定在网上听说过一句话，说是ASML嘲笑我国光刻机的：“就是给全**纸，我国人也造不出光刻机来。”
这句话究竟ASML有没有说，就无从考证了。不过上海微电子的创始人&董事长兼总经理贺荣明曾在公开场合表示，公司刚成立时，他带队去欧洲考察，说要造光刻机时，欧洲的光刻机专家确实说过这样的话。
当然，现在看起来，这句话就是笑话，因为上海微电子已经造出了光刻机，虽然精度还在90nm，但就是造了出来。
但从这句话，还是能够看出，我国光刻机在过去，究竟有多难，欧洲对我国要造光刻机，有多蔑视。
美国造出全球第一台光刻机是在1961年，是美国的GCA公司造出来的，这是一台接触式光刻机，曝光精度1um，线宽>3um，用于2~6寸的晶圆片。
而我国据说第一台接触式光刻机是在1966年左右造出来的，由我国科学院微电子研究所与上海光学仪器厂协作，造出了一台65型接触式光刻机。
后来美国在70年代，造出了接近式光刻机，后来在70年代末又推出了分布式光刻机……
但当时的我国实在底子薄，半导体也没得到重视，差不多是0，又加上美国对我国实行技术**，很多人连光刻机是什么都不知道，更不要说去造了。
所以很多年来，国内一直停留在接触式光刻机，没有新的进展。更重要的是，当时我国芯片制造也没跟上时代，这台接触式光刻机，也没有大规模的应用，更多是用于研究，和工业化生产没有关系。
直到70年代末，我国科技界发现半导体越来越重要，而半导体离不开光刻机，才明确提出要改进光刻设备，尽快赶超世界先进水平。
于是清华大学精密仪器系，中电科等科研机构再次发力，大家纷纷开始研发新型光刻机。
据称1980年清华大学的研发团队研发出了分布式投影光刻机，而到1985年中电科45所也研发出了分布式投影光刻机，其性能与美国GCA公司在1978年推出的差不多，也就是只落后了7年左右。
但还是像之前一样，国内的芯片产业本身就不发达，研制出光刻机，也是用于理论研究，根本就没有放到晶圆厂大规模应用，而脱离工业生产的光刻机，产业化一直停滞不前，基本上是为了造而造，不是为了市场需要而造。
而80年代后，国内又兴起了一股引进潮，说得不好听一点，就是“造不如买”，只要有钱，就可以从美国、日本、欧洲买到光刻机，以及全套的芯片生产线，那还造什么造？
于是本来只落后几年的光刻机技术，以及国产芯片产业，在那10多年间，再次停滞不前了，被美国、欧洲、日本、韩国超过，并甩到了脑后。
直到1999年，科索沃战争爆发，这场战争中，美国用电子信息技术，瘫痪了***几乎所有网络**。
这让国内科技界真正重视起电子、信息、半导体产业了，同时也转变了思想，那就是“买不如造”，因为买的东西不是自己的，一旦和美国闹翻，****安全将面临严重威胁。
于是研制先进的光刻机再次被提出来，并被列入了“863重大科技攻关计划”。
在2002年的时候，承担攻坚项目任务的上海微电子装备(集团)股份有限公司就这样正式成立了，总经理就是贺荣明，公司成立后，他就带着技术团队去欧洲、美国考察学习，欧洲专家很瞧不起他们，于是就说出了：给全**纸，我国人也造不出光刻机的话。
上海微电子成立后，想要造的光刻机，是193nm光源的干式光刻机，但此时已经落后国际水平20多年了，因为像尼康、佳能已经在20多年前就研究193nm的光刻机了，正在向165nm进发。
而ASML此时更是联手台积电，转向浸润式光刻机，用水为介质，要跳过165nm，用水为介质，让193nm光源直接等效于134nm光源的光刻机。
努力了5年，2007年上海微电子的光刻机研制成功，但核心器件主要来源于美国、欧洲等，美国对其进行了禁运，所以虽然研制出来了，还是无法量产，只是空中楼阁。
接下来的时间，上海微电子只能与国内供应链一起，攻关各种关键材料，实现国产，摆脱对西方元件的依赖，这一努力又是10年，直到2016年，上海微电子193nm光源的90nm精度的干式光刻机，才实现全面量产。
后来的故事大家都清楚，由于光刻机的核心元件、技术一直被**，所以上海微电子的光刻机技术，也一直没有太多的进步，目前最高精度为90nm。
更重要的是，光刻机的进步必须要跟随产业的进步，目前国内的晶圆制造设备，基本上都是来源于西方，光刻机与其它设备是配套的，大家买ASML的、尼康的、佳能的，基本不用国产的。
再加上美国禁运、技术**，国产光刻机到现在，依然落后国外20年，可以说还没有完全走出困境。
不过，现在大家都明白了一点，那就是“买不如造”，只有自己拥有的，才能不被卡脖子，所以光刻机项目得到了前所未有的重视，一直在努力追赶。
更重要的是，芯片产业也清楚的明白，只有自己的才是能够掌控的，也越来越多的使用国产光刻机，让其产业化。但说实话，要追上国际水平，还得继续努力，并且可能还得许多年，得坐得住冷板凳才行。
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